Principen anordningen i drift och skillnaden N-P-N och P-N-P-transistorer

Det finns två grundläggande typer av transistorer: bipolär och fält. Bipolära transistorer, i sin tur, är uppdelade i typen med en P-N-P och N-P-N-övergången. I denna artikel kommer jag att berätta om strukturen av bipolära transistorer, och vi kommer att tala om principen om drift och vad deras största skillnaden. Så det du går.

En liten historia

Enligt den officiella historien registrerar datum 1947/12/16 år kan anses vara den officiella födelsedag en av de viktigaste inslagen i all modern elektronik. Det presenterades för allmänheten denna dag, den första transistorn, som sattes samman av tre forskare, nämligen: D. Bardeen, W. Shockley och W. Brattain.

Uppkomsten av en bipolär transistor är tillåtet att överge användningen av vakuumrör. Alla moderna elektroniken skulle vara omöjligt utan denna produkt. Det är en så viktig upptäckt gjordes i mitten av 20-talet. Nu, från historien om vår flytt till en bipolär transistor.

Hur fungerar den bipolära transistor

Sålunda kan den bipolära transistorn kan schematiskt representeras som följer:

Titta noga på bilden, du behöver inte det påminna dig om något? Ja, ni har rätt, om du tittar noga och mentalt dela N zonen - övergång, då har vi två sammankopplade dioder (kom ihåg detta ögonblick, i framtiden kommer vi behöver).

Att bestämma en konduktivitet före kontakt diod, är det tillräckligt att läsa riktningen för PN-övergången. Illustrationen ovan konduktiviteten vi skriver P-N-P. Detta innebär att vi står inför en transistor framåtledning (eftersom det antas att strömmen flyter från plus till minus).

Men i transistorn N-P-N-typ ledningsförmåga reciprok

Har ni märkt att i båda utföranden finns det tre slutsatser med titeln:

Sändare (källa generator), Base (bas) och kollektor (kollektor, lagring).

Schematiska symboler transistorer

Från alla ovanstående skrivet förmodligen redan visste att det finns transistorer, negativ och positiv sekvens, vilket innebär att systemen sådana element bör ha skillnader. Låt oss titta på dem.

Således kommer att utse transistorn framåt ledning på systemen vara följande:

Men det omvända lednings transistor har utsett enligt följande:

I de gamla sovjetiska manualer transistorer är märkta med bokstaven "T", och nu beteckningen ändrades till "VT".

Som ett system för att bestämma N-P-Neller P-N-P transistor innan du

I själva verket bestäms av vilken typ av bipolär transistorkrets är ganska enkelt, bara ihåg följande regel:

Eftersom det är känt i den N - halvledare, är en stor mängd av fria elektroner, och en P-typ halvledar ligger ett "hål" - positivt laddade partiklar. En allmänt accepterad teori om ström flyter från "plus" till "negativa".

Om man tittar på diagrammet ser man att sändaren visas med en pil som är riktad antingen till basen eller från den. Så om transistorn N-P-N typ, dvs bildat av P- bas halvledare, flyter strömmen från basen (pil emitter-bas). Om basen är tillverkad av N - halvledare, strömmen (pil) strömmar in i basen.

Hur gör P-N-P transistor

Med beteckningen och enhet som allt är klart, och här är hur det fungerar, låt oss förstå:

Låt oss föreställa oss en bipolär transistor som en vattenledning ventil med en fjädermekanism.

Såsom framgår av figuren från toppen för att jämna ut flödet av vatten genom röret förhindrar ventilfjädern mekanism, om vi sätter en liten ansträngning (öppen ventil komprimera fjädern), vattnet fritt Det kommer att strömma genom röret. Om vi ​​släpper våren kommer den räta och tillbaka spärren på plats och därmed blockera röret och vattenflödet stoppas.

Nu föreställa sig att detta rör - en transistor P-N-P-typ, så att dess resultat kan sammanfattas enligt följande:

Det visar sig att strömmen flyter från emittern till kollektorn (minns att riktningen av strömflödessammanfaller med pilens riktning på sändaren) för att göra så att den nuvarande ur basen, eller för att uttrycka det enkelt: ansöka om minus basen.

Låt oss visuellt kontrollera driften av transistor. För detta tar vi KT814B och samla en enkel krets med två nätaggregat.

För att kunna ansluta transistorn behöver veta vad slutsats är emitter, bas och kollektor. För att göra detta, finner vi teknisk dokumentation och fastställa

En glödlampa, jag använder den mest vanlig bil, avsedd för 12 volt. Den sammansatta kretsen kommer att se ut så här:

Så, för att exponera vårt system att arbeta på strömförsörjningen på 12 volt №2. Och på den första strömförsörjningen startar mycket smidigt (från början) för att höja spänningen exakt till det ögonblick tills våra lampan lyser.

Schema tjänade vid en spänning av 0,66 volt vid den första källan.

Dvs det var "upptäckt" för transistorn och via emitter-kollektor-kretsen började att passera ström.

Med andra ord, spänningen, som öppnade vår transistor - det är ingenting annat än ett spänningsfall över P-N bas-emitter-spänning, som exakt ligger inom intervallet 0,5 till 0,7 V för kisel transistorer.

Och hur är det med transistorer, som använder N-P-N-övergången.

Den operativa principen för N-P-N-transistor

Om man tittar närmare på den tekniska dokumentationen till transistorn KT814B kan du hitta en post som komplementär till transistorparet är KT815B, och den skiljer sig endast i det att den använder N-P-N övergång.

Och kopplingsschemat ser ut så här:

Titta noga på denna krets och kopplingskretsen KT814B, behöver du inte märker något? Som är rätt, den enda skillnaden mellan de två transistorer ligger i det faktum att transistorn med P-N-P-överföring kallas "minus" (eftersom basen appliceras den negativa potentialen), men transistorn N-P-N öppnade "Plus".

slutsats

I detta har vi introduceras till materialet i BJT, deras konstruktion och funktion, och så att de anges i diagrammen. Om artikeln är att förse dig med intressant och användbar, kommer du att uppskatta det som. Tack för er uppmärksamhet!